关于半导体器件良率提升及失效分析，这里有一份干货分享

显示技术也日新月异，已经成为我们日常生活不可或缺的组成部分。从各种消费者器件到大型灯箱广告，以及流行的车载显示和虚拟现实等高新显示技术，都推动了显示器件从传统的液晶显示（LCD）过渡到有机发光二极管（OLED）以及微发光二极管（micro-LED）等新技术。

与此同时，随着先进的半导体设备的制程向更小、更复杂的方向发展，标准化分析与表征已经不足以支持半导体的研发与制造。与此同时，随着半导体器件结构变得越来越复杂，精确定位器件中的缺陷变得越来越困难，需要更多元的加工技术以及更高效的加工手段，并且结合高分辨的成像和微量分析技术来进行全面分析。

功率半导体器件的电性失效、功率半导体器件的物性失效分析等方面，先进电镜的使用会为提高功率器件质量提供快速和准确的方法，配合可靠的工作流程，除了可以帮助厂商提高效率，同时也可以一定程度节省成本，可以说电镜是半导体制程中不可忽略的高质量幕后“推手”。

为了更好的助力半导体企业在后摩尔时代的“芯“航程，快速提高良率，有效解决失效分析的难点痛点。5月6日，半导体产业网、极智课堂特别邀请赛默飞世尔科技PFA商务拓展经理蔡琳玲做客直播间，带来了一场主题为《高效率双束电镜在半导体量产工业领域的应用》的线上面对面探讨交流。

双束电镜是半导体工业领域过程控制以及失效分析的重要手段，它可以实现定点位置的快速加工和高分辨SEM成像，日常良率检测过程中，双束电镜的分析会遇到越来越多的挑战，在检测分析过程中，可能会遇到一些挑战，比如当产能加大，样品测试的需求量会越来越多，技术在摸索过程中，也会遇到样品种类多，数量多，要求更加快速和高效的完成分析。

工业技术推进，比如封装往集成式和堆叠式的方向发展，双束电镜需要加工的范围更加深更加大，而且某些工业领域会引入新的材料、新的工艺，也会对离子束的加工或者电子束的成像很敏感，对分析检测设备，对双束电镜提出更高的要求。

在良率提升过程中，失效缺陷的分析往往是未知缺陷，这时需要更全面的分析流程帮助找到根本的问题就要求双束电镜能更快，以及加工更大的范围，配合高精度失效定位工具。总体而言，对双束电镜的要求向着更加快速的分析，更加深范围的加工，以及更全面的解析流程，更加全面的表征等方向发展。

Xe 离子FIB (PFIB) 技术有别于传统的Ga 离子，具有更高更密集的束流，可同时实现高通量的切割和高质量的表征，将数据处理时间从原先的数天或数周缩短到以分钟和小时计算，同时对于第三代半导体，Xe 离子加工技术还可有效避免Ga 污染。

报告从FIB-SEM双束电镜的基本原理和前沿技术出发，结合具体的应用展示，详细重点介绍了Helios 5 PFIB在芯片封装、显示面板、第三代半导体等领域的应用状况与优势，以及Helios 5 PFIB完整能解决方案等内容，涉及电性失效分析样品制备和大面积材料移除的最高生产率解决方案，逻辑器件去层处理，3D NAND存储器件去层能力，先进封装的截面加工，先进封装的三维表征，面板行业的缺陷分析，功率器件的失效分析等，并回答了系列技术性问题。

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