第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆

据悉，近日，浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“科创中心”）先进半导体研究院在首席科学家杨德仁院士的带领下，利用全新的熔体法技术路线研制氧化镓体块单晶以及晶圆，目前已成功制备直径2英寸（50.8 mm）的氧化镓晶圆。

据浙大杭州科创中心消息显示，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。