芯塔电子：加快创新驱动，SiC MOSFET助力中国新能源产业发展

面对外界风险挑战，芯塔电子坚持本土创新，加大研发投入，攻坚关键核心技术，面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。依靠十多年的技术积累，芯塔电子通过与合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术，研究栅氧的物理机理，改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率，使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻，性能达到国际先进水平。

芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试

国外知名C公司1200V SiC MOSFE应用测试

作为SiC功率器件国产化的先行者，芯塔电子SiC MOSFET的产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成。该系列产品加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程（包括自主的IP、材料、设计、工艺等），彰显了我司科技创新的核心竞争力。芯塔电子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售，包括军工、新能源汽车、充电桩等领域，同时也已获得众多客户的咨询和明确需求，预计今年营收会有爆发性增长。

依靠十多年的技术积累与研发，芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系，包括6英寸SiC肖特基二极管芯片，650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件，SiC MOSFET器件和模块。公司目前已积累上百家客户资源，并进入了行业标杆客户。在资本方面，获得了政府的有力支持和头部资源投资，此举将助推公司更加快速的发展。未来，芯塔电子将加快创新驱动，携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。