中科潞安大功率深紫外芯片产品获突破性进展

　　近日，中科潞安在大功率芯片产品研发方面获得突破性进展。

　　中科潞安介绍，自公司成立之初，公司即着手布局大功率LED芯片的研发生产，经过技术人员的不懈努力及协同攻关，已成功研制出光功率输出在120mW以上的大功率芯片，可更好地满足UVC-LED市场的多元化需求。

　　中科潞安致力于打造深紫外LED行业领军企业，将技术革新作为企业生存和发展的内驱力，申报了十余项国家级、省市级科技项目。特别是在2020年立项的“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目的支持下，大功率芯片关键技术取得了创新突破。

　　中科潞安45*45mil大功率LED芯片，在外延结构优化、初始版图设计、电极结构设计、电极欧姆接触验证及多工段的工艺优化等方面，均做了大量的实验验证及技术攻关，尤其较为关键的p型AlGaN和芯片电极经持续优化、改进，实现了光电性能的大幅跃升。