国星光电SiC功率器件、GaN-DFN器件已小批量接单，正配合客户送样测试

半导体产业网获悉，日前，国星光电在投资者互动平台上表示，公司推出的第三代半产品SiC功率分立器件、GaN-DFN器件可应用于汽车充电桩等领域，目前处于小批量接单配合客户送样测试的过程，下一步公司将抢抓国产替代化机遇，进一步开拓车用市场业务规模。

国星光电进一步表示，目前公司紧抓国家“十四五”对半导体集成电路领域的规划机遇，积极拓宽第三代半导体领域赛道，致力于打造高可靠性、高品质的功率器件封测业务，目前公司推出及研发的三代半产品重点在新能源汽车充电桩，UPS电源等工业应用领域与手机快充等消费领域布局，其中，新能源汽车作为公司三代半功率器件的重要应用领域，公司在努力开展车规可靠性认证工作中。

关于SIP封装，国星光电指出，SIP封装是将多种功能晶圆根据应用场景、封装基板层数等因素，集成在一个封装内从而实现一个基本完整功能的封装方案，可应用于第三代半功率模块等领域，公司有相关技术储备。

最后，关于半导体产品结构优化，国星光电提到，公司形成以RGB芯片、倒装芯片、紫光芯片等利基型产品为主，同时研发布局Mini和Micro领域，有Mini背光和Mini显示两大系列的芯片产品，同时发挥上下游垂直联动的优势，协同本部研究院进行Micro LED关键技术的攻关；在第三代半导体领域，联合多所高校及研究所，发挥产学研协同优势，展开GaN功率器件、紫外探测器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研发工作。

同时，国星半导体是公司全力推进“立足封装，做大做强，兼顾上下游垂直一体化发展”的发展战略的重要部署，作为公司LED芯片及半导体业务的发展平台，国星半导体将继续坚持自主创新，大力发展差异化、特色化、创新化产品，积极开拓第三代半导体业务，持续发力Micro *Mini LED、深紫外外延芯片、垂直智能穿戴等前瞻性技术领域，为公司发展Micro *Mini LED发挥战略支撑作用，公司也将通过更多的手段和方法支持上游芯片业务发展，推动实现产业变革。