湖南德智新材料半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设，将于明年初投产
时间：2022-06-13作者：佚名
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半导体产业网获悉，日前，在新马工业园内，湖南德智新材料有限公司（以下简称“德智新材料”）半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产。
据德智新材料董事长柴攀表示，此次半导体用碳化硅蚀刻环项目，总投资约2.5亿元，主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造，投产后年产值超1亿元。
消息显示，SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高，只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。
据官方介绍，德智新材料成立于2017年，是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发，生产和销售的高新技术企业。
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