三星否认“3nm 芯片量产延后”？称仍按进度于第二季度开始量产

半导体产业网获悉，近日，三星否认了有关延后3纳米芯片量产的报道。

消息显示，三星一位发言人表示，目前仍按进度于第二季度开始量产3纳米芯片。

据悉，三星下一代3纳米芯片将基于 Gate-All-Around （GAA） 技术，三星表示，与现有 FinFET 相比，该技术可将面积减少 45%，同时提供 30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。

三星还表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年实现量产。

今年6月，三星副会长李在镕开启了7日欧洲穿梭之旅，官方消息显示，李在镕于6月14日（当地时间）在荷兰Veldhoven的ASML总部会见了ASML的高管，包括首席执行官Peter Wennink和首席技术官Martin van den Brink。

据韩媒《BusinessKorea》报道，三星电子副董事长李在镕从ASML获得了额外的极紫外（EUV）光刻设备，这对下一代半导体的生产至关重要。不过，三星电子暂时没有透露ASML将提供的额外EUV光刻设备的细节。

据悉，3/2纳米工艺的实现高度依赖于ASML的新一代的EUV光刻机。业界消息显示，ASML在2021年出货的48台EUV设备中，三星和台积电分别采购了15台和20台。

近些年，三星赶超台积电的雄心愈发明显，尤其表现在能体现双方技术底蕴的先进制程上，由此三星近期动态频频，包括更换半导体研发中心负责人、提高先进制程良率等。