中国科学院物理研究所张广宇课题组实现4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续

portant; overflow-wrap: break-word !important;">以二硫化钼为代表的二维半导体材料是一类战略新材料，有望解决当前晶体管微缩瓶颈，构筑出速度更快、功耗更低、柔性透明的新型半导体芯片。而且，与单层相比，多层二硫化钼更有助于提升器件性能。但是，由于热动力学的基本限制，如何实现高品质多层二硫化钼晶圆的制备仍是一个巨大挑战。

portant; overflow-wrap: break-word !important;">针对该挑战，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室张广宇课题组最近发展了一种逐层外延方法，实现了层数可控的多层二硫化钼4英寸晶圆的可控制备，所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质。该研究以“Layer-by-Layer Epitaxy of Multilayer MoS₂ Wafers”为题发表在《国家科学评论》（National Science Review）上。

portant; overflow-wrap: break-word !important;">为了解决晶圆尺度多层二硫化钼逐层外延的问题，张广宇研究员课题组自主设计和搭建了4英寸多源化学气相沉积系统，发展了氧辅助的外延技术来调控生长动力学过程，利用衬底的近邻效应克服了热力学的基本限制和逐层外延的困难，最终实现了4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜（最高可达6层）的可控逐层外延生长。

portant; overflow-wrap: break-word !important;">四英寸多层MoS₂晶圆的逐层外延