陕西源杰半导体科创板上市申请获上交所受理

源杰科技经过多年研发与产业化积累，已形成了具备“掩埋型激光器芯片制造平台”和“脊波导型激光器芯片制造平台”的两大芯片制造平台基；积累了包括高速调制激光器芯片技术、异质化合物半导体材料对接生长技术、小发散角技术等八大技术实现性能优势和成本优势。

面向未来，源杰科技表示将继续深耕光芯片行业，着力提升高速率激光器芯片产品的研发能力，着力打造良性的人才梯队，加速研发成果的转化。基于现有的光通信领域继续纵向深耕，推出更高速率的激光器芯片产品，积极向激光雷达、消费电子等领域布局探索。持续培育并夯实开发高质量光通信领域激光器芯片产品所需的三大关键技术力：前瞻设计开发与知识产权、晶圆工艺开发梯队、高端设备应用与相应制程技术。公司将加大投资并加强专业培训，进一步深化技术优势。

此外，源杰科技正在加速研发下一代激光器芯片产品，并积极拓展光芯片在其他领域的应用。目前，公司在光通信领域已着手50G、100G高速率激光器芯片产品以及硅光直流光源大功率激光器芯片产品的商用推进，力图实现在高端激光器芯片产品的特性及可靠性方面对美、日垄断企业的全面对标。同时，源杰科技向应用广泛的传感市场布局。