三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能

半导体产业网讯 据华尔街日报消息，三星电子周四宣布，公司已经开始大规模生产3纳米芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。三星在官方声明中表示，公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片。与前几代使用FinFET的芯片不同，3纳米芯片采用了新的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。与传统的5纳米芯片相比，第一代3纳米芯片工艺可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并减少16% 的面积。而第二代3纳米芯片工艺则可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面积减少35%。

虽然三星没有透露其最新代工技术的客户身份，但市场预计，三星本身和中国芯片设计公司上海磐矽半导体将是3纳米芯片的首批客户。