碳化硅百亿美元赛道，SiC器件市场规模有望迎来增速最快的三年周期

半导体产业网获悉：近日，中金发布研究报告称，第三代化合物半导体材料碳化硅(SiC)在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速成长，叠加SiC渗透率提升且短期内器件价格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市场规模有望迎来增速最快的三年周期。

中金认为，中国相关供应商虽起步较晚，但得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升，该行认为国内企业获得了入场机会，且有望通过技术快速迭代和产能扩张受益于SiC器件全球需求景气及国产化趋势。中金主要观点如下：

》》受制于上游原材料供应较少，短期SiC器件供需仍有望维持紧张。

该行测算，2021年全球6英寸SiC衬底年产能在51万片，并在积极扩产之中，2022年新能源车 光伏应用有望带来4.5万片/月(54万片/年)6寸SiC衬底产能需求(已考虑良率)。考虑到导电衬底需求正在快速爬坡，该行认为在8寸晶圆大规模普及之前，导电型衬底供应量较少依然制约了SiC器件市场快速发展，器件价格年降幅也相对有限。

》》五年全球SiC器件及模块市场规模有望突破百亿美元。

根据该行对新能源车、光伏等主要赛道自下而上市场规模的测算，该行认为2027年全球SiC器件(不含模块)全行业市场规模有望达到76亿美元，包含模块的全行业市场规模达到112亿美元，2022-27年五年复合增速超过35%，其中22-24年是行业增速的最快时期。而在2025年前后，该行认为8寸晶圆有望大规模应用，加速SiC成本下降，但SiC在全行业中渗透率也有望呈现快速提升。

》》中国企业有望迎来较大商业机会。

在2022-2024年间，该行认为中国本土新能源车、光伏逆变器品牌商有望积极推动SiC器件渗透，相关需求有望快速成长却面临全球SiC器件供应量受限。该行认为，本土SiC器件供应商有望把握国产替代机会，复制硅基IGBT时代辉煌，拥有全产业一体化(材料、制造、封测)能力的企业存在着更大的竞争优势。技术路径上，该行认为中国企业有望依照SiC二极管->高导通电阻MOS->低导通电阻MOS->大电流模块产品的四段式路径进行迭代，目前大部分企业已拥有了SiC二极管及高导通电阻MOS产品的设计或制造能力。

风险提示：SiC器件渗透率不及预期、行业竞争加剧、中国企业技术迭代及扩产较慢。