长电科技：实现4nm芯片封装 先进封装技术方面再度实现突破

近日，长电科技在互动平台表示，公司已可以实现4nm手机芯片封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装，在先进封装技术方面再度实现突破。

去年7月，长电科技发布XDFOI多维先进封装技术，该技术能够为高密度异构集成提供全系列解决方案，也为此次突破4nm先进工艺制程封装技术打下基础。

据了解，诸如4nm等先进工艺制程芯片，在封测过程中往往面临连接、散热等挑战。因此，在先进制程芯片的封装中，多采用多维异构封装技术。长电科技介绍，相比于传统的芯片堆叠技术，多维异构封装的优势是可以通过导入中介层及其多维结合，来实现更高密度的芯片封装，同时多维异构封装能够通过中介层优化组合不同密度的布线和互联达到性能和成本的有效平衡。

此前，长电科技首席技术长李春兴曾公开表示：“摩尔定律前进趋缓，而信息技术的高速发展和数字化转型的加速普及激发了大量的多样化算力需求，因此，高效提高芯片内IO密度和算力密度的异构集成技术，被视为先进封装技术发展的新机遇。”

如今，单纯的依靠尺寸缩小使得芯片在成本、功耗和性能方面获得提升，变得越来越难，后摩尔时代即将来临，而先进封装技术被视为后摩尔时代颠覆性技术之一。Yole数据显示，去年全球先进封装市场总营收达321亿美元，预计到2027年复合年均增长率将达到10%。