上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源，英诺赛科董事长骆薇薇，苏州市人大常委会副主任沈国芳，吴江区委书记李铭，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武，长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东，苏州市工业和信息化局局长万利，英诺赛科总经理孙在亨，吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记、管委会主任张炳高，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，吴江区委常委、副区长钱宇，韩国SK集团大中华区总裁吴作义，招银国际首席投资官王红波等嘉宾共同开启量产仪式，伴随着礼炮齐鸣、礼花绽放，英诺赛科跨入发展新阶段。
量产代表着企业迈上了高速行驶的快车道，研发则是企业前行的基础。与量产仪式一同举行的还有“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，以及研发楼奠基仪式。凭借雄厚的科研实力及先进的技术水平，英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目，研发楼的奠基，预示着未来将有更多创新成果在此诞生。
英诺赛科总经理孙在亨指出，半导体硅材料在经过70多年的开发后，已经接近其材料极限，而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中，基于氮化镓的市场应用取得了很多突破，开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透，尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。“我毫不怀疑基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。”孙在亨强调，“随着英诺赛科苏州工厂的成功量产，我们已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。”
