国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会
时间：2021-06-21作者：佚名
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近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会(CASAS)邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》两项团体标准的起草与草案讨论(线上)，助力加速第三代半导体国产化替代进程。 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》两项团体标准提案由工业和信息化部电子第五研究所牵头，经CASA标准化委员会(CASAS)管理委员会审核，两项提案均立项通过[1]。 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》标准草案线上讨论会于5月26日、6月10日先后召开，国星光电研究院代表参加了标准的线上讨论并对标准修订提出了重要建议与意见。两次线上研讨会共计有三十多人(次)来自产学研不同领域的专家代表参与。 |
