外媒：日本电装开发出新型功率半导体 可将能量损失降低20%

电装将致力于使其基于硅的电源芯片更具成本竞争力。其新的RC-IGBT将二极管集成到绝缘栅双极晶体管的功率半导体器件中，比市场上的现有产品尺寸小30%，同时还降低了功率损耗。4月，电装宣布与中国台湾合同芯片制造商联华电子公司(United Microelectronics Corp.，UMC)合作，并最早从明年开始，在UMC位于日本的制造工厂生产300毫米晶圆上的功率半导体。

晶圆越大，生产效率越高。因此与标准200毫米晶圆相比，电装的300毫米晶圆可将成本降低约20%。此外，电装还在研究使用碳化硅制成的下一代功率半导体。这种半导体损耗更少，并且可以减少约10%的电力消耗。但是生产必要的晶圆，包括在高温下结晶粉末材料，仍然极具挑战。电装正在开发一种使用加热气体的新方法，旨在使该工艺速度提高15倍，成本降低30%。电装为该工艺开发了自己的设备，并将考虑在实现大估摸生产时与其他制造商合作。

电动汽车需要高电压、高容量的电池，并需要对每个电芯进行监控。电装表示已开发出一种模拟芯片，可以跟踪25个电芯，是竞品的两倍。电装首席技术官Yoshifumi Kato表示：“半导体将在下一代汽车中发挥越来越重要的作用。我们将为电源芯片和模拟芯片带来内部材料和设计流程。”