浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功

图1 50 mm厚6英寸（150 mm）碳化硅单晶锭和衬底片

近日，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶（图1），这在国内尚属首次报道。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。

碳化硅（SiC）单晶作为宽禁带半导体材料，对高压、高频、高温及高功率等半导体器件的发展至关重要。当前，碳化硅单晶的高成本是制约各种碳化硅半导体器件大规模应用和发展的主要因素。为了降低碳化硅单晶的成本，扩大其直径和增加其厚度是行之有效的途径。

目前，国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸，但其厚度通常在~20-30 mm之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。

那么如何才能增加厚度？难点又在哪里？科研人员表示，增加碳化硅单晶厚度的主要挑战在于其生长时厚度的增加及源粉的消耗对生长室内部热场的改变。针对挑战，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺，显著提升了碳化硅单晶的生长速率，成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。

该厚度的实现，一方面节约了昂贵的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量能够翻倍，所以能够大幅降低碳化硅衬底的成本，有望有力推动半导体碳化硅产业的发展。

厚度增加了，品质能得到保证吗？科研人员通过对生长的碳化硅单晶锭切片所得的碳化硅衬底片（图1）进行分析，发现其晶型为4H，典型的（0004）晶面的X射线衍射峰的半高宽均值为18.47弧秒，总位错为5048/cm-2（图2）。以上结果均表明碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。

浙江大学杭州国际科创中心一直致力于推进产学研深度融合，加深与企业合作，链接全球创新资源，开展高水平高质量成果转化，共建创新联合体。目前，中心已与10余家企业共建创新联合体，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室就是其中之一。

本次成果由浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室共同完成，正是科技创新联动产业创新的体现。面对产业高度关心的碳化硅单晶成本问题，研究团队以碳化硅单晶厚度为关注点，充分整合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院和浙江大学硅材料国家重点实验室优势资源进行了合力攻关，并取得阶段性成果，为半导体碳化硅技术的发展贡献了力量。

(来源：浙大杭州科创中心)