突破！一次扩径技术，碳化硅衬底从6英寸直接扩到8英寸！
时间：2022-07-30作者：佚名
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半导体产业网讯：Wolfspeed、罗姆、II-VI均在2015年就已展示了8英寸碳化硅衬底，其中Wolfspeed投入10亿美元建设新工厂，并在今年4月开始生产8英寸碳化硅等产品；英飞凌在2020年9月宣布其8英寸 SiC晶圆生产线已经建成；罗姆旗下SiCrystal公司预计2023年左右开始量产8英寸衬底；Soitec在2022年5月发布了8英寸碳化硅衬底产品，其还在2022年3月启动新晶圆厂建设计划。
国内与国际，在8英寸碳化硅衬底上的差距更为明显。
碳化硅8英寸衬底的第一个技术难点是籽晶，籽晶虽然可以用激光切割然后拼接的方法来制作籽晶，但拼接位置的缺陷是几乎难以去除，可以做晶体生长基础研究，量产就不行了。量产用的籽晶还是需要慢慢的扩出来，在扩的过程保留品质好的晶体进行优选繁衍，这个过程是非常耗时的，没有好的籽晶就不可能繁衍出好的晶体，就如同没有好的种子，是不会长出好的庄稼一样。通常每次扩径几个毫米，从6英寸扩到8英寸扩径时间甚至按年为单位。
恒普科技提供一个创新的解决方案，一次性将6英寸扩到8英寸的技术方向，为行业提供一种新的思路，推进国内行业的8英寸碳化硅衬底国际竞争力。
恒普科技以≤45°晶锭的角度晶体生长厚度≥30mm，单边扩径接近≥25mm，这样就一次性将晶体扩径≥50mm，实现从150mm一次性扩径到200mm的技术路线。
恒普科技当下单边扩径≥20mm，无多型，微管≤0.05ea/cm2，生长速度≥0.3mm/h，导流环无TaC涂层； 预计近期可以达到单边25~30mm，并优化面型。
示意图
 扩径的技术核心难点是：热场的温度控制、边缘多晶、物质流传输（气相输运）。
恒普科技运用多年掌握的温度控制技术，将热场温度调节为有利于晶体扩径的温度梯度，并加以调节。
气相组分是产生边缘多晶的主要原因之一，不合理的气相组分非常容易产生边缘多晶，而导致扩径失败。
与晶体生长相同，物质流对于扩径也是至关重要，采用特殊改良的【新工艺】热场，使气相储运满足扩径。
晶体扩径实际图
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