突破！一次扩径技术，碳化硅衬底从6英寸直接扩到8英寸！

国内与国际，在8英寸碳化硅衬底上的差距更为明显。

碳化硅8英寸衬底的第一个技术难点是籽晶，籽晶虽然可以用激光切割然后拼接的方法来制作籽晶，但拼接位置的缺陷是几乎难以去除，可以做晶体生长基础研究，量产就不行了。量产用的籽晶还是需要慢慢的扩出来，在扩的过程保留品质好的晶体进行优选繁衍，这个过程是非常耗时的，没有好的籽晶就不可能繁衍出好的晶体，就如同没有好的种子，是不会长出好的庄稼一样。通常每次扩径几个毫米，从6英寸扩到8英寸扩径时间甚至按年为单位。

恒普科技提供一个创新的解决方案，一次性将6英寸扩到8英寸的技术方向，为行业提供一种新的思路，推进国内行业的8英寸碳化硅衬底国际竞争力。

恒普科技以≤45°晶锭的角度晶体生长厚度≥30mm，单边扩径接近≥25mm，这样就一次性将晶体扩径≥50mm，实现从150mm一次性扩径到200mm的技术路线。

恒普科技当下单边扩径≥20mm，无多型，微管≤0.05ea/cm2，生长速度≥0.3mm/h，导流环无TaC涂层； 预计近期可以达到单边25~30mm，并优化面型。

扩径的技术核心难点是：热场的温度控制、边缘多晶、物质流传输（气相输运）。

恒普科技运用多年掌握的温度控制技术，将热场温度调节为有利于晶体扩径的温度梯度，并加以调节。

气相组分是产生边缘多晶的主要原因之一，不合理的气相组分非常容易产生边缘多晶，而导致扩径失败。

与晶体生长相同，物质流对于扩径也是至关重要，采用特殊改良的【新工艺】热场，使气相储运满足扩径。

恒普科技 | 零实验室，致力于材料的基础研究和创新方向探索。