总投资10亿元 成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目

据成都日报报道，该项目占地30亩，计划分两期建设。其中，一期将建设一条8英寸超薄IGBT（绝缘栅双极型晶体管）特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线，计划今年年底完成厂房封顶。一期项目建成后，将形成年产120万只功率半导体模块制造能力，10万套集成组件生产能力。

据了解，按规划，项目一期计划2022年底完成厂房封顶，2023年6月完成包括洁净厂房在内的所有装修工作。2023年第三季度封装产线进入联调阶段，2023年第四季度投入试生产。2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圆特色工艺平台也将投入使用。二期扩产建设预计将于2025年启动。