苏州纳维总部大楼荣耀封顶！预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上

半导体产业网获悉：2022年8月10日上午，万里晴空，惠风和畅。在热闹的礼炮与纷飞的金片中，各位股东代表、基建单位代表以及合作方代表莅临苏州纳维，共同见证纳维科技研发和生产总部大楼荣耀封顶。

封顶仪式上，鞭炮齐鸣，掌声雷动，前来参加仪式的有关领导移步至楼顶，拿起象征着八方来财的金铲，随着倒计时开始，金铲齐开，扬起泥土，为纳维科技大楼金铲封顶。至此，第一阶段施工任务顺利完成，项目工程建设迈入新的阶段。在未来的日子里，全体纳维人必将更加努力，助力第三代半导体产业的蓬勃发展。

以氮化镓、碳化硅等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料，凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，具有巨大的市场前景，正成为全球半导体市场争夺的焦点，国内外第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势。纳维科技总部大楼建设项目占地面积超14000 平方米，总建筑面积超 34000 平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发与生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。