第十七届全国MOCVD学术会议在山西太原胜利闭幕

半导体产业网讯：8月17日，第十七届全国MOCVD学术会议在山西太原胜利闭幕。

大会主席、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽研究员，国家自然科学基金委员会信息学部副主任何杰，中北大学校长熊继军教授，北京大学理学部副主任、教授沈波，西安电子科技大学副校长张进成教授，郑州大学副校长单崇新教授等嘉宾出席了闭幕式。

闭幕式的大会主题报告环节，围绕第三代半导体技术一些关键难题分享了最新研究进展和成果。北京大学沈波教授带来了题为“氮化物宽禁带半导体大失配异质外延新进展”的主题报告；山东大学徐现刚教授（朱振博士代）做了题为“GaAs半导体激光器的研究进展”的主题报告；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员（刘宗亮博士代）带来了“氮化镓单晶衬底生长与应用进展”的主题报告。山西师范大学校党委副书记、校长许小红教授主持了大会报告环节。

以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分享了蓝宝石上AIN AIGaN的外延生长和p型/n型掺杂，Si上GaN、AIN的外延生长的最新研究进展和成果。提出了多种有针对性的的外延生长和p型/n型掺杂方法，发明了多种有针对性的外延生长方法。报告指出，由于异质外延体系大失配，强极性的特征，氮化物的半导体的外延生长和掺杂依然面临一系列关键科学技术问题，需从生长动力学，缺陷物理和应力控制等角度开展系统的研究。

半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x（905-1060）nm系列的半导体激光器芯片在市场需求牵引下发展迅速，已经突破影响激光器的寿命和可靠性问题，实现了从材料、芯片、模组全链条产业化。

常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生长的多种方法，难点解决以及研究成果。涉及报告指出，未来向更高功率密度，更小的芯片发展，需要高质量的同质外延技术，氮化镓单晶衬底的发展，距离全面的市场成熟，仍然需要更大力度的创新研究。

随后的主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，济南大学材料科学与工程学院常务副院长、教授赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干力量齐聚，围绕着“MOCVD外延技术和装备面临的挑战和发展趋势”与“碳化硅、氮化镓和氧化镓功率半导体的应用领域、关键科学技术问题及解决之道”两大主题，台上台下展开探讨，从不同的角度分享不同见解，观点碰撞，气氛热烈。

大会组委会主任、中国科学院半导体研究所研究员王军喜代表组委会介绍了本届会议筹办情况，本次会议得到了业界、学界广泛的支持与积极参与，本届会议为期两天，包含开闭幕式两场大会，四个主题分会。邀请报告50个，口头报告62个，海报展示166张，论文摘要录用280篇。根据注册统计数据显示参会代表超过500人，线上开闭幕式报告直播观看人次超过5000 。根据注册统计数据显示超过200家单位机构参与，实际参会人数近700人。

此外，闭幕式期间，大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员，中关村半导体照明工程研发及产业联盟秘书长阮军，山西师范大学校党委副书记、校长许小红教授，中北大学校长熊继军教授，郑州大学副校长单崇新教授共同为本次会议优秀海报奖获得者颁发奖励。

第十八届全国MOCVD学术会议将由中国科学技术大学主办，于湖北恩施举办。中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵教授介绍了会议筹备情况，并向业界、学界的专家学者、青年学子们发出积极邀请。