至芯半导体成功研制日盲深紫外器件

（紫外探测器芯片结构示意图）

至芯半导体的研究人员通过重新排列紫外探测器芯片结构，在芯片中引入半导体倍增层，使得基于该芯片所制备的紫外探测器具有倍增性能，改善了电流扩展和应力分布均匀性，提高了AlInGaN半导体紫外探测器的光谱响应性能。芯片包括从下到上依次层叠的衬底1、半导体缓冲层2、半导体层4、第一N型半导体层5、第二N型半导体层6、紫外光吸收层7、N型半导体隔离层8、半导体倍增层9、P型半导体传输层10和P型半导体接触层12。该芯片通过引入半导体倍增层9，使得探测器的倍增效果明显增加。