镓特半导体9月推出“开学季感恩惠”活动 Gan衬底全球超低价放送

半导体产业网讯：9月，镓特半导体推出“开学季感恩惠”活动，Gan衬底全球超低价放送！

镓特半导体科技（铜陵）有限公司成立于2017年11月，注册资本4.2亿元，坐落于国家级铜陵经济技术开发区内，是一家专业从事第三代半导体材料——氮化镓GaN晶圆衬底研发与制造的高科技企业。目前建有4万平方米标准化厂房及配套设施，拥有40余台HVPE等核心设备，建成氮化镓专业生产线和研发实验室，首次在国内实现4"氮化镓衬底量产，至2023年可形成年产3.6万片大尺寸、高质量氮化镓衬底能力，实现年产值7.2亿元。

公司创始人为留美归国李起鸣博士，曾任美国能源部Sandia国家实验室终身科学家、美国电子材料学会特约分会主席。核心团队由李起鸣博士、Troy J.Baker博士（诺奖得主中村修二的学生）等13位业内专家组成，自主研发创新氮化镓衬底制备技术，处于国内领先、国际先进水平，成功打破国外技术壁垒和行业垄断，填补我国半导体材料关键领域空白。

镓特半导体是目前国内综合规模最大的氮化镓衬底制造基地，主营产品为4"和2"氮化镓衬底，该系列产品是基于HVPE(氢化物气相外延)生长技术，采用厚膜应力控制、自剥离技术、激光剥离技术、研磨抛光技术等先进工艺制造而成，获得45项发明和实用新型专利授权，拥有核心自主知识产权，较国内外同类衬底产品具有下列优势。

(1)尺寸大：4”产品国内首家量产，6”产品处于试制阶段。

(2)高质量：翘曲度小，位错密度低，TDD数值为5e5至9e5/cm2，较硅基、蓝宝石、碳化硅等同质外延具有明显优势。

(3)较低成本：HVPE技术设备自主研发，成本可控。

(4)绝缘性能好：实现氮化镓衬底碳掺杂，其电阻率≥109Ω?cm，半绝缘性能表现出色，在国内外处于绝对领先位置。

金秋九月，恰逢开学当季。为感谢全球客户朋友多年来对公司的关怀、信任和支持，镓特半导体现面向广大高校研究院、科研院所和科研团队等客户于9月推出“开学季感恩惠” 促销活动。镓特半导体致力于为国内外客户供应优质的氮化镓衬底片，真正做到让半导体行业用得上、用得起、用得好的氮化镓衬底。