一家国产半导体企业的进阶

这家仅有12岁的年轻企业，攻克了领域内多项关键核心技术，取得460余项核心专利，获评国家级专精特新“小巨人”企业、制造业单项冠军示范企业。国际知名行业咨询机构YOLE报告显示，天岳先进半绝缘型碳化硅衬底市场占有率连续三年位居全球前三。

碳化硅衬底以其制作的器件具有耐高温、抗高压、高频、大功率、抗辐射等特点，在新能源汽车、轨道交通、光伏发电等领域应用广阔。在天岳先进展厅内，公司党委书记窦文涛告诉记者，他们解决了碳化硅材料生长、衬底加工等一系列难题，实现在碳化硅领域的突破。

在元素周期表中，碳和硅的组合可以产生200多种晶型，而最适合半导体使用的4H单晶体生长难度最大。在碳化硅晶体生长炉内，温度高达2300度。“最开始时，开炉就像开盲盒，能不能拿到4H单晶体全凭运气。开一炉需要很长时间，拿到我们想要的数据需要数次试验，时间不等人。”窦文涛说，公司在不断增加设备的过程中，还实现了设备的自主研发，改变了高端半导体设备依赖进口的局面。

衬底直径是衡量晶体制备水平的重要指标之一。“我们最初的产品是2英寸衬底，从2英寸到8英寸，我们用了10年。”窦文涛告诉记者，扩径并不是简单从2到3，而是从2.1、2.2开始，而且每一次扩径意味着从设计到加工全流程的提升。

2015年，天岳先进4英寸碳化硅衬底投入生产，随后的几年里，公司通过自主创新，研发出半绝缘型碳化硅衬底产品，实现从0到1的突破。

今年6月，天岳先进6英寸导电型衬底开始大批量供货，并与下游客户签署了总额为13.93亿元的3年供货合同。窦文涛说，天岳先进将持续加大8英寸导电型衬底产业化力度。

“碳化硅半导体材料生长温度高，影响因素多，技术迭代周期相对较长。”窦文涛介绍，他们将采用AI技术、数字孪生技术，打造出数字化工厂，通过数字工厂和实体工厂联动，压缩技术迭代时间，提高研发速度。

天岳先进还将依托国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站等多个研发平台，为研发团队的技术创新和人才培养提供有力支撑，并持续加大研发投入。“我们是一个典型的创新型企业，创造性地将研发分为基础研究、工程化和产业化三个层面。”天岳先进董事长宗艳民表示，坚持科技创新是企业不变的追求，今年上半年，公司研发投入占营业收入的比例为33%。来源：大众日报