LED开山鼻祖Nick Holonyak教授逝世,年93岁!

时间:2022-09-21来源:佚名
  9月18日,可见光LED先驱发明者、美国伊利诺伊大学香槟分校教授Nick Holonyak在美国伊利诺伊州厄巴纳去世,享年93岁。
  Holonyak最杰出的贡献在于开发了全球首个实用的可见光谱LED,人称“LED之父”。目前,这一技术正广泛用于世界各地的灯泡、设备显示器和激光器。Nick Holonyak教授也是SSLCHINA的挚友,曾记得2013年11月10日至12日,在全球半导体照明产业年度盛会——第十届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2013)上,Nick Holonyak教授曾专程发来了视频短片预祝大会的成功举办,当时论坛还邀请到了黄光LED发明人George Craford、蓝光LED发明人中村修二,以及OLED之父邓青云,LED三大发明人在开幕式上作了特邀报告,大家齐聚一堂共话照明领域的未来发展前景。现在回想起来,至今仍历历在目!
  Holonyak是半导体材料最早的研究者之一,也是光电子(将电转化为光或反过来的设备)领域的先驱,他还为家用调光开关、运行CD和DVD播放机的激光器、光纤通信线路以及其他电子和通信设备的技术做出了贡献。
LED开山鼻祖Nick Holonyak教授逝世,年93岁!
  图片来源:University of Illinois
  1990年,Nick Holonyak获得了George H.W.Bush总统(老布什)授予的国家科学奖章,表彰他“作为美国半导体材料和器件领域最多产的发明家之一”。2002年,他又获得了George W.Bush(小布什)颁发的国家技术和创新奖章。
  公开资料显示,Holonyak于1928年11月3日出生在伊利诺伊州南部的齐格勒。他是一名移民煤矿工的儿子,在成为家中第一个接受高等教育的人之前,曾在伊利诺伊州中央铁路(Illinois Central Railroad)工作。他在伊利诺斯州获得学士、硕士和博士学位。在1963年加入伊利诺伊大学之前,他曾为贝尔实验室、美国陆军通信队和通用电气工作。
  1962年10月9日,在通用电气工作时,Holonyak成功演示了第一个可见(红色)半导体激光器和发光二极管,这一发明被列为20世纪人类最显著的45项成就之一。虽然红外LED之前是由砷化镓材料制成的,但Holonyak制造了合成砷化镓磷化镓(GaAsP)晶体,从而制造出可以发出可见红光的LED。这也是人类历史上首次在没有加热或燃烧材料的情况下产生可见光。与白炽灯相比,这一技术提供了一种更明亮、更可靠、更节能的方式来照亮世界。
  在发明了LED后,1963年Nick Holonyak离开了通用电气,出任其母校伊利诺大学电机工程系教授。Holonyak曾是两次诺贝尔物理学奖得主约翰·巴丁(John Bardeen)带出的第一个研究生,1954年在伊利诺斯州获得了电机工程(EE)博士学位,并始终与自己的这位导师密切合作,直到1991年巴丁去世。
  Holonyak还开发了一种在砷化镓芯片内弯曲光的技术,这一发展使计算机芯片可以通过光而不是电来传输信息。Holonyak还与伊利诺伊大学的Milton Feng教授一起开发了晶体管激光器,这是一种具有光和电输出的晶体管,可以实现下一代高速通信技术。他还有一项重要发明就是闸流体(Thyristor),也被称为晶闸管,拥有能够让交流电、直流电互相转换的能力。
  除了孜孜以求不断带来创新的研究发明之外,Holonyak还是一位不可多得的优秀导师。他指导了60名研究生的博士学位项目,许多学生后来都在光电子学领域做出了开创性的贡献,其中5人还是国家工程院(NAE)的成员。他和他的研究生们一起开发了四元素复合半导体,在这种半导体中,不同的材料被夹在中间产生小的(量子)阱。1977年,Holonyak和他的学生展示了第一个量子阱激光器,现在常用于光纤、CD和DVD播放机以及医疗诊断设备。也正是这项技术,使激光二极管的性能达到了新的水平。
  在自己的科学生涯中,Nick Holonyak一共持有41项专利,并获得了众多奖项,包括:伊丽莎白女王工程奖(2021年)、美国国家工程院德雷珀奖(2015年)、莱梅尔森-麻省理工学院奖(2004年)、俄罗斯全球能源奖(2003年)、美国电气和电子工程师协会荣誉奖章(2003年)、日本奖(1995年)、美国国家科学院科学工业应用奖(1993年)和光学学会查尔斯·哈德·汤斯奖(1992年)。
  Holonyak是美国国家工程院、美国科学院和美国发明家学院的成员,也是美国艺术与科学学院、国际电气与电子工程学会、美国物理学会、美国光学学会的研究员,也是俄罗斯科学院的外籍成员。

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