氧化铈抛光液在硅片抛光机上的运用

氧化铈抛光液在硅片抛光机抛光时运用的非常广泛，由于很多研磨操作者只会去用很少用心去研究它的抛光机理，所以在运用过程中会出现一些小偏差。本文中我们将重点讲述纳米级氧化铈抛光液的制备和在硅片抛光机上的抛光机理。此文章仅提供给硅片表面处理的公司做下参考，希望你们能在此学到研磨抛光的知识。

　　纳米氧化铈对硅片进行化学机械抛光，首先是源于抛光液的化学腐蚀作用,根据摩擦化学的相关理论,抛光过程中,磨粒与硅片局部接触点处会产生高温高压,这会导致一系列复杂的摩擦化学反应。与热化学反应相比,摩擦化学反应所需要的自由能仅为热化学反应活化自由能的1% --10%,在某些的摩擦状况下甚至可以观察到热化学反应条件下所不能进行的摩擦化学反应。

纳米氧化铈抛光硅片的模型如图6所示。

在图6中的凸处及深度小于磨料直径的凹处,会发生一系列复杂的摩擦化学反应。纳米氧化铈与水发生水合反应,其产物及强碱KOH会与硅片表面发生氧化还原反应,生成SiO32。

水解产物H2SiO3能部分聚合成多硅酸,同时另一部分H2SiO3电离生成离子SiO32-,结果形成硅酸胶体 {[SiO2]m·nSiO32-·2(n-x)H }2x-·2xH 覆盖在硅片表面上,软质层厚度不会超过磨粒粒径,一般可过磨料的机械磨削作用去除。同时氧化铈也具有络合作用,能迅速地将SiO32- 等转化为络合物[Ce(SiO)3]32-,可加速反应去除。其络合反应式为: