硅片抛光机技术特点及原理

硅片抛光机技术特点及原理
硅片抛光机不是碾除整体的糠层，是通过碾除细微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉细粒，抛光机抛光和碾白从工作方面比较存在着很大的差别，抛光机抛光压力很低，抛光机抛光米粒的时候流体密度很小，抛光时米粒离开铁辊的速度很快，而且抛光机单位产量抛光运动面积很大。

抛光布采用微细表层结构的软质发泡聚氨基甲酸人造革。在高速高压抛光条件下，抛光布和硅片之间形成封闭的抛光剂层。
同时，在硅片表面形成软质水合膜，抛光盘通过不断去除水合膜进行硅片的抛光。但是，一旦抛光过程中水合膜发生破裂，会在硅片表面产生加工缺陷。
抛光是硅片的最终加工工序，要求抛光表面具有晶格完整性、高的平面度及洁净性。使用械化学抛光法可以获得无加工变质层的表面。为了提高抛光效率，要进行两次抛光。在次抛光中，借助于磨粒与抛光布的机械作用，破坏硅片表面的水合膜进行高效抛光。
因此，必须采用大粒度的磨粒和透气性能好的抛光布以形成较薄的水合膜，其目的是为获得硅片的厚度、平面度等。

硅片抛光装置有单面抛光和双面抛光两种，双面抛光可提高抛光效率和加工精度。