智新半导体已研制出基于第3代半导体碳化硅的功率模块

半导体产业网讯：据湖北日报，东风公司旗下智新半导体已成功研制出基于第3代半导体碳化硅的功率模块，能实现更低损耗、更高效率，承受更高温度、更高电压。搭载到整车上后，能进一步提升车辆续航里程，减少整车成本。

智新半导体已投产的IGBT模块，能够满足车规级产品的高可靠性要求，比同类进口产品至少便宜10%以上。目前，智新半导体正启动IGBT模块二期项目建设方案，年产能将达到120万只，预计2024年建成，不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求，还能为其他车企供货。