IFWS 2022前瞻：氮化镓功率电子器件技术新进展

2022年11月7-10日， 一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）*第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于苏州国际博览中心召开。

国际第三代半导体论坛（IFWS）是由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）在中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会，是引领全球第三代半导体新兴产业发展，促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。

中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）伴着中国半导体照明产业的发展一路成长起来，已成为半导体照明领域最具规模，参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。十几年的时间里，论坛尽最大力量打造国际性舞台，邀请全球顶级专家，传递最前沿的产业、技术发展信息。

本次两大论坛移师苏州召开，一边是不断发展壮大的区域产业实力派，一边是行业发展风向标。2022年两者强强联手将碰撞出怎样的火花，非常令人期待。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

据组委会透露，本届论坛的“氮化镓功率电子器件”技术分会上将有来自美国弗吉尼亚理工大学、加拿大滑铁卢大学、瑞士洛桑联邦理工学院、南方科技大学、英诺赛科等国内外科研院所与代表企业的专家们将带来一大波精彩报告，分享氮化镓功率器件技术领域的最新进展。

据了解，美国弗吉尼亚理工大学助理教授张宇昊将分享“中高压（1-10 kV）氮化镓功率器件新进展”，加拿大滑铁卢大学副教授Lan WE带来MVSG_CMC GaN HEMT紧模型的最新进展，瑞士洛桑联邦理工学院副教授Elison MATIOLI将分享高效集成GaN功率器件的新技术，中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国将带来关于AlGaN/GaN HEMT能带工程与界面调制的研究进展，南方科技大学电子与电气工程系助理教授化梦媛将分享p型栅GaN基功率器件栅极可靠性及阈值稳定性研究成果。西安电子科技大学周红将分享一种新型侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管，其结合浮动金属环和P保护环将实现高击穿电压。

欲知最新研究进展与成果，敬请关注分会，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。

部分嘉宾简介

张宇昊，美国弗吉尼亚理工大学电力电子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授，并领导该中心的器件和功率半导体研究。该中心由Fred Lee创立，现得到超过80家公司的资助，拥有电力电子领域基于高校的最大的产业联盟之一。

张宇昊研究兴趣包括功率器件、宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件封装、以及电力电子应用。张宇昊已发表文章90余篇，涵盖多个领域（IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等），并有4个已经授权的美国专利。并获得2017年麻省理工学院Microsystems Technology Laboratories最佳博士论文奖、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳论文奖)、2020年IEDM Conference Highlight荣誉、2021年美国National Science Foundation CAREER奖、2021年弗吉尼亚理工优秀助理教授奖。其博士生获得2021 APEC最佳报告奖、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士论文奖等奖项。

胡卫国，中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员，曾任日本三重大学(Mie Univ.)、神户大学(Kobe Univ.)、东北大学(Tohoku Univ.)博士后和助理教授。目前研究方向为半导体材料外延、压电(光)电子器件研制和模拟、以及新能源器件。迄今为止在Science advances、Advanced Materials、ACS Nan、Nano Energy等学术期刊发表论文50余篇，在IEDM等40多个学术会议上报告研究成果。

化梦媛，南方科技大学电子与电气工程系助理教授，致力于宽禁带半导体器件与IC研究，在高端制造工艺、测试表征技术、器件结构设计、可靠性等方面做出一系列原创性和系统性的工作。共发表国际高水平期刊与会议论文90余篇，引用超2000次。成果包括国际电子器件领域的顶级峰会IEEE IEDM论文7篇，电力电子领域旗舰会议IEEE ISPSD论文11篇，器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇，IEEE Trans. Electron Devices 8篇，为国际会议做邀请报告10余次，申请发明专利6项；成果多次选入热点论文，被产业界权威杂志专题报道；获2020年IEEE ICSICT杰出青年科技论文奖；获2017年IEEE ISPSD最佳青年学者奖（年度唯一获奖人）；现任国际高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices编辑。

更多论坛信息

会议时间：2022年11月7日-10日

会议地点：中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

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