日本德山化工氮化铝单晶衬底或即将产业化

　　最近，日本德山化工此前则展示其正在研制中的用于电子器件和其它衬底的氢化物气相外延(HVPE)生长的AlN单晶衬底。

HVPE制备氮化铝单晶示意图

　　与蓝宝石或SiC衬底相比，AlN与GaN热匹配和化学兼容性更高、衬底与外延层之间的应力更小。因此，AlN晶体作为GaN外延衬底时可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制备高温、高频、高功率电子器件方面有很好的应用前景。用AlN晶体做高铝(Al)组份的AlGaN外延材料衬底还可以有效降低氮化物外延层中的缺陷密度，极大地提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。