单片机驱动MOS管的条件

时间:2022-11-13作者:佚名

单片机驱动MOS管是根据控制需要的问题,而不是能不能的问题。在有的场合可以用单片机直接驱动MOS管的,而在有的控制场合就不适合直接用单片机驱动MOS管,下面我们来谈谈这方面的问题。

单片机直接驱动MOS管的条件
前一段时间我在维修一个加热用的小型家用电器,它里面的电路就是用一个20引脚的AT89C2051单片机控制I/O口直接去控制两个MOS管。一个单片机的P3.0口输出PWM波形去控制场效应管的导通与关闭,其单片机控制图如下图所示。

单片机驱动MOS管的条件
当P3.0脚输出的PWM为高电平的时候,场效应管导通,持续增高温度值。通过这个例子可以看出在一些驱动功率不是很高的场合,对于小功率的MOS管来说,它是可以用单片机I/O口直接控制的。我们知道对于小功率的场效应管它的栅极Ugs电压不需要很高电压就可以完全控制场效应管良好的导通了。因此在对一些小型场效应管所控制功率比较小的场合,我们可以用单片机I/O口直接控制场效应管。 单片机驱动MOS管的条件
不能用单片机I/O口直接控制场效应管的场合
我们知道场效应管是一种压控型器件,对于大功率场效应管要想使它充分导通,就要给栅极一个较高的电压,例如我在维修电磁炉时就可以看到,作为控制LC振荡的绝缘栅场效应管(IGBT),它需要18V的电压才能满足绝缘栅场效应管的驱动要求,由于单片机的输出电压是5V,远远达不到场效应管导通的要求,因此就无法直接用单片机的I/O口去控制。这时电路就采用了两个三极管来组成推挽式的电路,去驱动场效应管。单片机先控制一个运放电路,然后再用三极管去驱动场效应管的,其原理图如下图所示。 单片机驱动MOS管的条件
由此可见,MOS管能不能用单片机I/O口直接去驱动,要看具体的电路来确定。当用到小功率的场效应管是可以直接用单片机去驱动的,我在维修中常见到的SOT-23封装的、TO-92封装的小型场效应管都可以用单片机I/O口直接驱动,对与大功率场效应管比如TO-220封装的大功率场效应管,则必须外加驱动电路才可以驱动它,用三极管作为驱动电路就是常见的一种类型。

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