MOS管发热怎么办?
时间:2022-12-06作者:佚名
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MOS管发热的处理方法 先从理论上分析MOS管选型是否合理,从MOS管的规格书上获取MOS管的参数,包括导通电阻、g、s极的导通电压等。 在确保实际驱动电压大于导通电压的前提下,如果负载电流为I,那么MOS管在导通状态下消耗的功率为I*I*RDS(on)。比如MOS管的导通电阻是100毫欧,负载电流为10A,则MOS管消耗的功率高达10W。 一般的TO220封装的器件,耗散功率为0.5W,温升都可能达到50度,高达几瓦的耗散功率的选型是不合理的。 1A以内的负载电流选择导通电阻几百毫欧的MOS管,1A-5A的选择导通电阻几十毫欧的MOS管,5A以上选择导通电阻为几毫欧的MOS管。 注意,如果MOS管开关频繁,比如通过PWM信号控制MOS管的开关,应根据PWM的频率控制GS极驱动信号开关瞬间的上升下降时间,G极的限流电阻不能太大,GS极之间不能并电容,同时需要用推挽输出的信号控制MOS管的通断。 |








