VMOS场效应管的主要特性

VMOS场效应管，英文全称为VMOSFET，简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管，这种场效应管的特点如下：

VMOS场效应管是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件，不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），且有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

因其将电子管与功率晶体管之优点集于一身，所以在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中应用最广泛。

传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极只处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动的。