VMOS场效应管的主要特性

VMOS场效应管，英文全称为VMOSFET，简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管，这种场效应管的特点如下：

VMOS场效应管是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件，不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），且有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

因其将电子管与功率晶体管之优点集于一身，所以在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中应用最广泛。

传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极只处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动的。

VMOS管则不同，从左下图上可知其有二大结构特点:一是金属栅极采用V型槽结构，二是具有垂直导电性。(来自：电工之友 www.gdzrlj.com)

由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N 区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。

由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，所以仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如右上图所示。