光刻干法去胶设备：等离子干刻机的原理及优势介绍！

在光刻工艺中，半导体表面会有残胶，这需要一个好的方式进行处理，将残胶清除的同时不会对产品造成损伤，我们今天聊的等离子干刻机就是这样的一个设备，通过等离子体进行处理，效果非常不错，感兴趣的小伙伴可以继续浏览哦！

一、等离子干刻机去胶原理

等离子干刻机的去胶是一种干式的去胶方式，将产品放入设备中，通过真空泵抽空气体，使等离子干刻机保持真空状态，这时候将工艺气体放入设备中进行反应，产生活性等离子体，与表面的残胶发生反应；光刻胶的基本成分是碳氢化合物，在反应中，这些化合物会消失，产生一氧化碳、二氧化碳、水等。这些物质会被真空泵抽走，表面清洁就完成了。

二、等离子干刻机去胶优势

在过去，很多工厂都采用的湿式处理法，但是随着技术不断变革，产品不断升级，处理要求也随之升级，干式法逐步取代了湿式处理；

等离子干刻机的去胶只需气体的参与，无需化学试剂的浸泡，无需烘干，整个处理环保干净，清洗过程可控性非常强，而且不会对周围环境以及人员造成不良的影响；这种工艺还能够降低成本，提高产品的良品率以及生产效率，所以设备在半导体制程的各类方面都广泛的得到了应用。

残胶去除在半导体制造过程中非常重要。清洁是否干净彻底，表面有无破损等。都会影响后续的工艺，进而影响整体制造和性能，对良品率有重要影响。可见一个好的处理工艺，好的设备是可以影响产品的，等离子干蚀刻机是可以提高公司的利润，降低成本的。

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