什么是晶体管？晶体管的内部结构与符号

晶体管按其结构分为NPN型和PNP型两类。晶体管结构与符号如图所示。它们都有三个区：集电区、基区、发射区；从这三个区引出的电极分别称为集电极c(Collector)、基极b(Base)和发射极e(Emitter)。两个PN结：发射区与基区之间的PN结称为发射结J，基区与集电区之间的PN结称为集电结J。
　　两种管子的电路符号的发射极箭头方向不同，箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。
　　应当指出，晶体管绝不是两个PN结的简单连接。它采用了以下制造工艺：基区很薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结面积比发射结的面积大等。这些都是为了保证晶体管具有较好的电流放大作用。
　　由于晶体管在结构上有这些特点，所以不能用两个二极管背向连接来说明晶体管的作用，在使用时发射极和集电极一般不能互换。
　　晶体管种类很多。除上述的按结构分为NPN型和PNP型外，按工作频率可分为低频管和高频管；按功率大小可分为小功率管、中功率管和大功率管；按所用
半导体材料
分为硅管和锗管；按用途分为放大管和开关管等。晶体管命名方法参阅附录B表B一-1。例如3AX31B为锗材料PNP型低频小功率晶体管，序号为31，规格号为B。3DG6C为硅材料NPN型高频小功率管，序号为6，规格号为C。3DA2A为硅材料高频大功率晶体管，序号为2，规格号为A。