动态存储器的记忆原理和读写过程

(1)动态存储器的组成：由单个MOS管来存储一位二进制信息。信息存储在MOS管的源极的寄生电容CS中。

◎写数据时：字线为高电平，T导通。

写“1”时，位线(数据线)为低电平， VDD(电源)将向电容充电

写“0时，位线(数据线)为高电平， 若电容存储了电荷，则将会使电容完成放电，就表示存储了“0”。

◎ 读数据时：先使位线(数据线)变为高电平，当字线高电平到来时T导通，若电容原存储有电荷( 是“1” )，则电容就要放电，就会使数据线电位由高变低;若电容没有存储电荷( 是“0” )，则数据线电位不会变化。检测数据线上电位的变化就可以区分读出的数据是1还是0。

注意

①读操作使电容原存储的电荷丢失，因此是破坏性读出。为保持原记忆内容，必须在读操作后立刻跟随一次写入操作，称为预充电延迟。

②向动态存储器的存储单元提供地址，是先送行地址再送列地址。原因就是对动态存储器必须定时刷新(如2ms)，刷新不是按字处理，而是每次刷新一行，即为连接在同一行上所有存储单元的电容补充一次能量。

③在动态存储器的位线上读出信号很小，必须接读出放大器，通常用触发器线路实现。

④存储器芯片内部的行地址和列地址锁存器分先后接受行、列地址。

⑤RAS、CAS、WE、Din、Dout时序关系如下图：