晶闸管电流上升率、电压上升率的抑制保护

　　图1：串联电感抑制回路
　　2.电压上升率dv/dt的抑制
　　加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。
　　为抑制dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R—C阻容吸收回路。如下图：

　　图2：并联R—C阻容吸收回路
　　晶闸管过压过流保护主要就是以上这些电路图，做好以上这些保护电路，设备的故障率会很大降低.