二极管的伏安特性_二极管正、反向特性实验

（1）在实验线路板上安装如图所示电路。

（2）调节电位器, 得到如图第一象限所示曲线。

（1）在实验线路板上安装如图所示电路。

（2）调节电位器 ，可改变二极管VD的反向电压 和反向电流 ，得到如上图第三象限所示曲线。

上图曲线即为二极管的伏安特性曲线，它描述了二极管两端的电压和流过二极管的电流的关系。

（1）正向特性：如上图第一象限的曲线。

① 起始阶段，正向电压较小，正向电流极小，称为死区，二极管电阻很大，处于截止状态。

② 正向电压超过门坎电压或死区电压（硅管0.5V，锗管0.2V），电流随电压的上升急剧增大，二极管电阻得变很小，进入导通状态，二极管导通后，正向电流与正向电压呈非线性关系，正向电流变化较大时，二极管两端正向压降近于定值，硅管正向电压降约为0.7V，锗管约为0.3V。

（2）反向特性：如上图第三象限曲线图。

① 起始阶段，反向电流很小，不随反向电压变化，称为反向饱和电流（锗管大于硅管的反向电流）。

② 当反向电压增加到某一数值（反向击穿电压）时，反向电流急剧增大，称为反向击穿。