半导体三极管的参数

半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。
1.共发射极直流电流放大系数
＝（I_C－I_CEO）/I_B ≈ I_C / I_B|v_CE＝const

在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(v_CE＝const)来求取I_C/I_B ，如图1所示。在I_C较小时和I_C较大时，会有所减小，这一关系见图2。

2.集电极－基极间反向饱和电流I_CBO
I_CBO的下标CB代表集电极和基极，O 是Open的字头，代表第三个电极 E 开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
2.集电极－发射极间的反向饱和电流I_CEO
I_CEO和I_CBO有如下关系
I_CEO＝（1＋）I_CBO
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线I_B＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。

3.共发射极交流电流放大系数β
b ＝DI_C/DI_B½
在放大区，b 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取DI_C/DI_B。或在图2上通过求某一点的斜率得到b 。具体方法如图4所示。

4、 集电极最大允许电流I_CM
如图2所示，当集电极电流增加时，b 就要下降，当b 值下降到线性放大区b 值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流I_CM。至于b 值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当I_C＞I_CM时，并不表示三极管会损坏。
5、 集电极最大允许功率损耗P_CM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗，P_CM＝ I_CV_CB≈ I_CV_CE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用V_CE取代V_CB。
6、 反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。

1. V_(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O 代表第三个电极 E 开路。
2. V_(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
3. V_(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于V_(BR)CER表示 BE 间接有电阻，V_(BR)CES表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
V_(BR)CBO≈V_(BR)CES＞V_(BR)CER＞V_(BR)CEO＞V_(BR)EBO
由最大集电极功率损耗 P_CM、I_CM 和击穿电压V_(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。