CMOS门电路的主要电气指标
|
CMOS电路示最常用的逻辑电路之一。现给出CMOS门电路的一些主要电气指标和测量方法以便正确使用CMOS电路。 1. 电压传输特性及有关性能参数 采用图（a）所示的测量方法，可测出CMOS非门的传输特性，如图（b）所示。
图 CMOS非门的电压传输特性 由电压传输特性可得下列参数。 ① 输出高、低电平VOH和VOL 显然VOH为VDD(最小值一般为0.99VDD)；VOL为0V(最大值一般为0.01VDD)，因此CMOS电路的逻辑摆幅较大，接近电源电压VDD值。 ② 阈值电压VT 由于CMOS非门电压传输特性中输出高低电平的过渡区很陡，故阈值电压VT约为VDD/2。 ③ 抗干扰容限 由图（b）可见，CMOS非门的开门电平Von门电平Voff分别为0.45VDD和0.55VDD，因此其高、低电平抗干扰容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的抗干扰容限尽管不一定能达到非门的水平，但一般均大于0.3VDD.当电源电压VDD较大时，其抗干扰能力就很强。 2. 电源电压范围 标准CMOS电路的电源电压范围很宽，可在3～18V范围内工作，电源电压不同，CMOS电路的性能就不同。上述几个与电压传输特性有关的参数，基本上都与电源电压VDD呈线性关系。 3. 传输延迟与功耗 CMOS电路的功耗较小，传输延迟较大，且它们均与电源电压有关。下表列出了温度为 25℃且负载电容为50pF时，不同电源电压下CMOS非门的传输延迟和功耗。由表可见，电源电压越高，CMOS电路的传输延迟越小，功耗越大。 CMOS非门的传输延迟和功耗与电源电压的关系
4. 扇出系数 因CMOS电路有极高的输入阻抗，因此其扇出系数很大，额定扇出系数可达50。但是， 必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低于TTL电路。 |
