二极管的伏安特性

　二极管是由一个PN结构成的，它的主要特性就是单向导电性，通常用它的伏安特性来表示。
　　二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压vD之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的V-I曲线，称二极管的伏安特性曲线。图1是二极管的伏安特性曲线示意图，以此为例说明其特性。

图　二极管的伏安特性

　　1．正向特性
　　由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。
　　当正向电压升高到一定值Vth以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。Vth 被称为门限电压或阀电压。Vth视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压Vth的值，如图中虚线与横轴的交点。
　　当正向电压大于Vth以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用VF来表示。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V，一般取为0.7V；锗管的导通电压约为0.1～0.3V一般取为0.2V。

2．反向特性 　　当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流IR。反向电流很小，且在一定的范围内几乎不随反向电压的增大而增大。但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。