绝缘栅型场效应晶体管的主要参数

1、栅—源直流输入电阻R_GS

在漏-源两极短路的情况下，外加栅源直流电压与栅极直流电流之比即为栅—源直流输入电阻R_GS。由于MOSFET是电压控制元件，所以R_GS很大，一般大于10⁹Ω，这是MOSFET的优点之一。

2、栅一源击穿电压U_GS(BR)

栅一源击穿电压是在增大MOSFET的U_GS的过程中，绝缘层击穿，使I_G迅速增大时的U_GS(BR)值。

3、最大漏极电流I_DM和最大耗散功率P_DM

I_DM和P_DM都是MOSFET的极限参数，I_DM是管子正常工作时漏极电流的上限值。最大耗散功率P_DM决定于管子允许的温升。

4、低频跨导g_m

低频跨导是在UDS为某一固定值时，漏极电流微小变化ΔI_D和对应输入电压变化量ΔU_GS之比，即

其单位常采用和mS。它的大小是转换特性曲线在工作点处的切线的斜率，工作点位置不同，其数值也不同。低频跨导g_m表示u_GS对i_D控制作用的强弱，是衡量MOSFET放大能力的参数。