绝缘栅型场效应晶体管的特性曲线

MOSFET的特性曲线包括转移特性和输出特性。

NMOS场效应管的输出特性同NPN晶体管的输出伏安特性曲线类似，只是参变量为栅-源电压U_GS。N沟道增强型MOS的转移特性曲线和输出特性曲线如图1所示。

(a)转移特性曲线	(b)输出特性曲线
图1 N沟道增强型MOS的转移特性曲线和输出特性曲线

由图1(a)可知，当U_GSGS（TH）时，导电沟道不存在，没有漏极电流I_D=0；当U_GS> U_GS（TH）时，才会有漏极电流。将U_GS（TH）称为开启电压。输出特性曲线分成四个区域：可变电阻区、恒流区、击穿区、截止区。

1、可变电阻区

当U_GS> U_GS（TH），且U_DSGS- U_GS（TH）时，管子处于可变电阻区。随着U_GS的增加，I_D增加，此时管子就像一个电阻，改变U_GS，曲线斜率将发生变化，等效于输出电阻变化，故称可变电阻区。

2、截止区

当U_GS< U_GS（TH）时，管子处于截止区。I_D=0，相当于管子开路。

3、恒流区

当U_GS> U_GS（TH），且U_DS> U_GS- U_GS（TH）时，管子处于恒流区。在该区域，U_DS变化，I_D基本上保持不变。

4、击穿区

当U_DS>U_DS（BR）时，将会使漏区与衬底的PN结反向击穿，进入击穿区使MOSFET损坏。

耗尽型MOSFET由于具有原始导电沟道，所以U_GS=0时漏极电流已经存在，用I_DSS表示，称为饱和电流。N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线和输出特性曲线如图2所示。

(a)转移特性曲线	(b)输出特性曲线
图2 N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线和输出特性曲线

由图2(a)可见，无论栅-源电压U_GS是正是负还是零，都能控制电流I_D，这个特点使其应用有更大的灵活性。与增强型MOSFET一样，耗尽型也有N沟道和P沟道之分。无论哪种类型MOSFET，使用时必须注意所加电压的极性。

增强型和耗尽型绝缘栅场效应晶体管的主要区别在于是否有原始导电沟道。所以，如果要判别一个没有型号的MOSFET是增强型还是耗尽型，只要检查它在零栅压下，给漏、源极间加电压时是否能导通，就可以作出判别。