武汉大学研究员袁超将2022第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛

2022-03-09 佚名
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随着宽禁带半导体器件的功率日益增大,器件散热问题逐渐成为工业界的巨大挑战。器件沟道处的结温以及晶圆材料的热物性是反映器件散热能力最直接的参数,结温和热物性的测试成为器件研发中不可缺少的环节,决定了器件运行能力、可靠性及寿命。
由于器件沟道尺寸小(亚微米级)且常常在高频工况下(GHz级)运行,要求结温测试满足高空间分辨率和高时间分辨率。另一方面,晶圆材料通常是薄膜异质结,要求热物性测试具有微纳米级分辨率。然而,传统的温度和热物性的表征方法很难满足高空间分辨率和高时间分辨率的要求。近年来,一些国内外顶尖研发团队开发了一种称为热反射(Thermoreflectance)的测试方法,该方法基本满足了上述测试需求,为宽禁带器件散热提供了有效解决方案。
4月20-21日,半导体产业网、半导体照明网、第三代半导体产业联合励展博览集团,将在 NEPCON China 2022期间举办为期两天的“2022第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛”。
武汉大学工业科学研究院研究员/博导袁超将受邀出席论坛,并分享“面向宽禁带半导体器件的高空间/时间分辨率晶圆级热表征技术进展”的主题报告。
报告将综述国内外团队以及在热反射检测领域的研发成果,介绍该方法的原理、发展历程以及针对不同类型的器件或晶圆材料应用。同时,结合其近年的研究,讨论如何实现热反射方法的无损测试,满足宽禁带工业产线上的测试需求,为器件研发和生产提高效率并降低成本等。
欲知最新研究进展与成果,敬请关注论坛,也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流,共商合作事宜。
嘉宾简介
武汉大学研究员袁超将2022第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛
长期从事宽禁带器件表征和热管理研究工作,在薄膜尺度热反射表征方法(thermoreflectance)、声子热输运理论、以及(超)宽禁带半导体器件设计等领域具有一定的技术优势和科研特色。承担多个国家/省部级重大战略需求的纵向科研项目,迄今共发表国际SCI论文30余篇。长期和国内外知名半导体企业和研究机构合作,拥有丰富的产学研经验。

附:第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛日程(拟)
武汉大学研究员袁超将2022第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛
备注:最终日程以现场为准。
武汉大学研究员袁超将2022第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛
联系人:贾先生(Frank)18310277858