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半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1．直流参数
（1）直流电流放大系数
① 共发射极直流电流放大系数
 （1）
 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE＝const)来求取IC / IB ，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图2。 |
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图 1 在输出特性曲线上决定 |
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图2 值与 IC的关系 |
| ② 共基极直流电流放大系数 |
 （2） |
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图3 ICEO在输出特性曲线上的位置 | 显然  与 之间有如下关系  （3） （2）极间反向电流
① 集电极-基极间反向饱和电流ICBO
ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
② 集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO： ICEO和ICBO有如下关系
ICEO＝（1＋β ）ICBO （4）
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。集电极-发射极间的反向饱和电流又称穿透电流。
2．交流参数
（1）交流电流放大系数
① 共发射极交流电流放大系数b
β＝△IC/△IB|vCE=const （5）
在放大区， b值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取△IC/△IB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b。具体方法如图4所示。
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图4 在输出特性曲线上求取β |
② 共基极交流电流放大系数α
α＝△IC/△IE （6）
当ICBO和ICEO很小时， α≈α、 β≈β，可以不加区分。
（2）特征频率fT
三极管的β值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的β将会下降。当β下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。
3．极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM
如图1.4.9所示，当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于β值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。
（2）集电极最大允许功率损耗PC
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM＝ ICVCB≈ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
（3）反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。
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图6 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 |
① V(BR)CBO--发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头,C、B代表集电极和基极,O代表第三个电极E开路。
② V(BR)EBO--集电极开路时发射结的击穿电压。
③ V(BR)CEO--基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO
由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。
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