MOS门电路

MOS型集成门电路是单极型晶体管。绝缘栅场效应管也就是金属－氧化物－半导体（MOS）场效应管。MOS场效应管具有制造工艺简单，集成度高，功耗低，抗干扰能力强等优点，主要缺点是工作速度较低。MOS场效应管有N沟道和P沟道两类，每一类又有增强型和耗尽型之分。在本节集成门电路中用的都是增强型场效应管。

1. 下图NMOS“非”门电路，

称为驱动管；的栅极与漏极相联，作为漏极负载电阻，称为负载管。驱动管的跨导较大，一般位100－200uA/V;负载管的跨导较小，一般为5－10 uA/V。因此的导通电阻远比的大。

“非”门电路也称为反相器。

当输入端A为“1”时，T₁的栅－源电压U_GS大于它的开启电压，T₁导通。由于T₂的栅极与漏极相联，并接到正电源U_DD上，其栅－源电压也大于开启电压，T₂总是处于导通状态。而T₁的导通电阻远比T₂的小，其管压降很小，故输出端Y为“0”。