CMOS门电路

CMOS门电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管集成电路，目前应用较多。

1．CMOS“非”门电路如下图所示（常称为CMOS反相器）

驱动管采用N沟道增强型（NMOS），负载管采用P沟道增强型（PMOS），它们一同制作在一块硅片上。两管的栅极相联，由此引出输入端A；漏极也相联，由此引出输出端Y。两者联成互补对称的结构。衬底都与各自的源极相联。

当输入端A为“1”（约为U_DD）时，驱动管 T₁的栅－源电压大于开启电压，它处于导通状态；而负载管T₂的栅－源电压小于开启电压的绝对值，它不能开启，处于截止状态。这时，T₂的电阻比T₁高的多，电源电压便主要降在T₂上，故输出端Y为“0”（约为零伏）。

当输入端A为“0”（约为零伏）时， T₁截止，而T₂导通。这时，电源电压主要降在T₁上，故输出端Y为“1”（约为U_DD）。

CMOS“非”门与NMOS相比的：

1)由于两管不是同时导通，而截止管的电阻很高，这就使在任何时候流过电路的电流都很小，仅为管子的漏电流，所以，这种联成互补对称的“非”门电路的功耗是极其微小的，每门静态功耗只有0.01mW。

2)由于输出低电平约为零伏，输出高电平约为U_DD，因此，输出幅度加强了，并且还可以取用较低的电源电压（5－15V），这有利于和TTL或其他电路联接。CMOS的主要缺点是制造工艺较复杂和集成度较低。

其逻辑功能：。

2．CMOS“与非”门电路如下图所示

驱动管和都导通，电阻很低；而负载管和为P沟道增强型管，两者并联。负载管整体与驱动管相串联。

当A,B两个输入端全为“1”时，驱动管T₁和T₂都导通，电阻很低；而负载管T₃和T₄不能开启，都处于截止状态，电阻很高（并联后电阻让很高）。这时，电源电压主要降在负载管上，故输出端Y为“0”。