单片机数据存储器的扩展
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一、常用的静态RAM芯片
目前，常用的SRAM芯片有6116（）、6264（8K×8）、62128（16K×8）、62256（32K×8）等。 1．6116 6116芯片为24引脚双列直插封装，容量为2K×8位。如图1。其管脚图见3（a）。其中A0~A10为地址线，  图1 6116芯片  图2 6116和6264的引脚图 2．6264 6264是8K×8位的静态RAM，它采用CMOS工艺制造，单一 5V供电，额定功耗200mW，典型读取时间200ns，封装形式为DIP28，其管脚图如图2（b）所示。其中A0～A12为地址输入线，D0～D7为三态双向数据线， 扩展数据存储器和扩展程序存储器的方法类似，由P2口提供高8位地址，P0口分时提供低8位地址和8位数据总线。访问片外数据存储器的指令有： MOVX A，@Ri MOVX A，@DPTR MOVX @Ri，A MOVX @DPTR，A 例 分析下面电路图中2块6264芯片的基本地址范围。  图3 用2片RAM6264的扩展电路 解：此电路图是由2块6264芯片，在片外扩展16K个单元数据存储器的扩展电路。接P1.7引脚来进行片选。6264(1)和6264(2)的编址都是8KB，基本地址范围都自0000H到1FFFH（假设未用地址线取0），因为它们所接的地址完全相同。 2764 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 最高地址 X X X 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 最低地址 X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 |
为写选通信号，D0~D7为数据线，Vcc表示电源（十5V），
是片选信号，低电平有效，GND接地，
为数据输出允许信号。 
是片选信号输入线，低电平有效，
是读选通信号输入线，低电平有效，
是写选通信号输入线，低电平有效。 
