IGBT门极驱动要求

　　1. 栅极驱动电压

　　因IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行驱动，但IGBT的输入电容较MOSFET大，所以IGBT的驱动偏压应比MOSFET驱动所需偏压强。图1是一个典型的例子。在 20℃情况下，实测60 A，1200 V以下的IGBT开通电压阀值为5～6 V，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT能承受短路损坏的脉宽变窄，因此Ugc的选择不应太大，这足以使IGBT完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力(在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用IGBT时， Uge在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力)。

　　2.对电源的要求

　　对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于IGBT是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使IGBT迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止IGBT关断时产生的du/dt误使IGBT导通，应加上一个-5 V的关栅电压，以确保其完全可靠的关断(过大的反向电压会造成IGBT栅射反向击穿，一般为-2～10 V之间)。

　　3.对驱动波形的要求

　　从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使IGBT快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在IGBT关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下，IGBT过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt，并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成IGBT或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及du/dt吸收电路性能综合考虑。

　　4.对驱动功率的要求

　　由于IGBT的开关过程需要消耗一定的电源功率，最小峰值电流可由下式求出：

　　IGP=△Uge/RG Rg;

　　式中△Uge= Uge |Uge|;RG是IGBT内部电阻;Rg是栅极电阻。

　　驱动电源的平均功率为：

　　PAV=Cge△Uge2f,

　　式中.f为开关频率;Cge为栅极电容。

　　5.栅极电阻

　　为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小IGBT集电极的电压尖峰，应在IGBT栅极串上合适的电阻Rg。当Rg增大时，IGBT导通时间延长，损耗发热加剧;Rg减小时，di/dt增高，可能产生误导通，使IGBT损坏。应根据IGBT的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg的数值。通常在几欧至几十欧之间(在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整)。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏IGBT，建议在栅射间加入一电阻Rge，阻值为10 kΩ左右。

　　6.栅极布线要求

　　合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护IGBT正常工作有很大帮助。

　　a.布线时须将驱动器的输出级和lGBT之间的寄生电感减至最低(把驱动回路包围的面积减到最小);

　　b.正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合;

　　c.应使用辅助发射极端子连接驱动电路;

　　d.驱动电路输出不能和IGBT栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2转/cm);

　　e.栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。

　　7.隔离问题

　　由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，主要的途径及其优缺点如表1所示。

　　表1 驱动电路与控制电路隔离的途径及优缺点