JBD与Porotech就Micro LED达成合作

　　昨(11)日，主动矩阵式Micro LED显示器厂商JBD宣布与剑桥大学附属公司、GaN Micro LED材料开发商Porotech达成合作。

　　Porotech拥有独家多孔GaN半导体材料，并在此基础上，开发了天然红InGaN Micro LED外延片，有效改善了Micro LED亮度和效率等方面的性能，能够满足Micro LED产品的量产需求，也可根据个体用户需求定制化。本次合作，Porotech将向JBD供应多孔GaN半导体材料。

　　Porotech认为，采用GaN材料的Micro LED被广泛认为是唯一能够满足AR/VR等可穿戴设备高亮度及高效率需求的技术。而JBD认可了Porotech这一技术突破的巨大潜力，将依托这项技术开发InGaN红色Micro LED显示器，瞄准AR/VR耳机、AR智能运动护目镜及头戴式显示器等应用。

　　红光Micro LED技术难点加速攻克

　　众所周知，红光Micro LED芯片的效率问题是Micro LED生产制程的几大难点之一。例如，常规的AlGaInP红光Micro LED在正常芯片尺寸下的效率可达60%以上，但随着芯片尺寸缩小至微米级时，效率会显著下降至1%以下。

　　得益于宽带隙可调、较好机械稳定性和较短空穴扩散长度、兼容InGaN基绿光、蓝光Micro LED等优点，InGaN材料成为了红光Micro LED更好的选择。

　　据悉，江风益院士团队2020年公布了高光效InGaN基橙-红光LED的研究突破，该研究结果也证明了InGaN材料在制作显示应用的红光像素芯片上将有巨大的应用潜力。

　　无独有偶，美国加州大学圣塔芭芭拉分校UCSB也曾与首尔伟傲世针对尺寸小于5微米Micro LED外量子效率变化趋势展开研究，结果也表明，InGaN基红光Micro LED有望实现更小尺寸的全彩化Micro LED显示器。

　　Porotech的开发成果也成为了一个有力的佐证。去年11月，Porotech基于其新型多孔GaN半导体材料，开发了首款适用于Micro LED应用的天然红InGaN LED外延片，与常规的AlInGaP或颜色转换所得的红光外延片相比，性能得到提升。

　　除此之外，近一两年来，全球范围内越来越多研究机构及相关企业加大对InGaN红光Micro LED芯片的研发力度，也收获了一定的成果。

　　今年3月，UCSB宣布成功开发了尺寸小于10微米的InGaN基红光Micro LED芯片，不过，这款芯片通过晶圆上量测得出的外量子效率(EQE)仅为0.2%，为此，UCSB计划提升材料的质量，改善生产步骤，从而提高红光Micro LED芯片的外量子效率。