光电耦合器制造工艺流程

光电耦合器，通常简称为光耦。其基本原理是以光作为媒介，来传输电信号。在一些特殊的应用场合，会要求输入√输出端实现电气隔离，这样就不能使用传统的电子器件来传输电信号，光耦正是为了适应这样的场合而诞生。

光耦通常采用DIP或SMD封装，实际的工艺流程将红外LED、硅光敏三极管封装起来，并形成输入/输出引脚，这个过程与IC封装类似，不同之处在于其选材及关键工艺控制。通常光耦的工艺流程如下：

陶瓷基座制作→厚膜电路制作→芯片(IR LED、PD和ASIC)测试→芯片烧结压焊→中测→耦合对准→装架→封装→检漏→中测→老化筛选→末测。

根据工艺流程，业界通过对光耦生产中不良品的解剖分析，结合光耦自身特点，总结了一些影响光耦可靠性的工艺因素：